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V n=18nV/√Hz（典型值）输出短路保护低总计谐波失真：0.003%（典型值）宽电源电压：±2.25V 至±20V，4.5V 至 40V 引脚图：返回搜狐，责任编辑：

IGBT是电压控制电流，可是说是集成块三极管和场效应管的优点的一种器件，它利用电压来控制PN结，在大电流应用比较广泛，因此比较适合强电开关，强电功率使用，例如变频器、逆变器、电力控制系统等，很多场合以IGBT作为逆变器件...

TL074CDR通用运算放大器芯片中文资料PDF数据手册引脚图图片参数技术资料产品概述： TL07xH（TL071H、TL072H 和 TL074H）系列器件是业界通用的 TL07x（TL071、TL072 和 TL074）器件的下一代版本。这些器件为成本敏感型应用提供...

LF353MX运算放大器芯片中文资料规格书产品文档PDF数据手册引脚图价格图片产品概述：这些器件是低成本、高速、双通道JFET输入运算放大器，具有内部调整的输入失调电压（BI-FET II 技术）。它们需要低电源电流保持较大的增益...

但感测引脚的尖端向内偏移了 1.7 毫米，距离增加了 1.25 毫米；实际位于尖端后面的引脚，即第一个触点，现在甚至位于外部边缘之后约 2 毫米处，这可以带来更高的安全性。通过将引脚 0 接地，并将引脚 1 保持开放，就可以实现 ...

模式引脚允许将电机配置为全步至 1/32 步模式。衰减模式是可配置的，因此可以使用慢速衰减、快速衰减或混合衰减。提供低功耗睡眠模式，可关闭内部电路以实现非常低的静态电流消耗。该睡眠模式可以使用专用的 nSLEEP 引脚进行...

引脚配置逻辑框图封装参数 SN74LV273APWR是一种低驱动CMOS器件，可用于需要保留或锁存数据的多种总线接口类型应用。低驱动和低边缘速率将使输出上的过冲和下冲最小化。在任何有效VCC下，输入电压均能耐受5.5 V。此功能使其...

高边：150 °C 条件下最大电阻 10.5 mΩ(25 ℃ 条件下典型值 5.3 mΩ) 低边：150 °C 条件下最大电阻 9.9 mΩ(25 ℃ 条件下典型值 4.7 mΩ) 强化开关速度，降低开关损耗

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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET-“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用...